Интегральные микросхемы продолжают совершенствоваться. Разработчики техногиганта Samsung уделяют серьезное внимание улучшению характеристик мобильной памяти DRAM. Компания объявила о начале выпуска новых чипов типа LPDDR3 емкостью 4 Гбит, которые создаются по 20-нм технологическому процессу.
По идее, новые
микросхемы смогут заменить популярные на рынке чипы типа LPDDR2, так как
обладают рядом преимуществ: большая эффективность и производительность при
относительно меньших размерах. Стоит отметить, что пропускная способность в
новом варианте чипа увеличилась с 800 Мбит/с до Мбит/с, а энергопотребление
снизилось на 20%.
По мнению экспертов в
будущем компания планирует делать акцент на производстве именно на 20-нм
интегральные микросхемы оперативной памяти, увеличивая объемы производства
изделий новых поколений. Это позволит производителю постоянно укреплять свои
позиции на рынке мобильных DRAM-микросхем, который по данным аналитиков
продолжает активно расти.
